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Abracon晶振,貼片晶振,ABM11-140晶振,石英諧振器

頻率：26MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.,特別適用于各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

作為一個(gè)解決方案供應(yīng)商，Abracon晶振的廣泛的產(chǎn)品線地址信號(hào)路徑，數(shù)據(jù)路徑和電源需求在最苛刻的應(yīng)用。奧斯汀,得克薩斯州,Abracon LLC(Abracon),全球領(lǐng)先的制造商被動(dòng)&機(jī)電時(shí)間同步,權(quán)力,連通性和射頻解決方案宣布音頻和視頻解決方案指南強(qiáng)調(diào)產(chǎn)品適合使用者應(yīng)用程序如機(jī)頂盒,虛擬現(xiàn)實(shí),便攜式音頻、視頻/電話會(huì)議,耐磨,物聯(lián)網(wǎng),無(wú)人機(jī),相機(jī)/攝像機(jī)、顯示器和高保真音頻以及專(zhuān)業(yè)應(yīng)用,如音頻混合器,唱片的質(zhì)量接收器,廣播工作室相機(jī)等設(shè)備,路由器和轉(zhuǎn)換器使用SDI,HD-SDI和3 g HD-SDI。
Abracon的新發(fā)布的IoT優(yōu)化晶體系列專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于解決越來(lái)越多的低功耗趨勢(shì)，從而導(dǎo)致設(shè)計(jì)人員在整個(gè)行業(yè)中面臨的跨導(dǎo)值下降。這些IoT優(yōu)化的石英晶體諧振器與業(yè)界最低的gm_critical設(shè)計(jì)兼容。對(duì)于50MHz操作，ABM8W / ABM10W / ABM11W / ABM12W系列保證在gm_critical低至3.55mA / V的條件下工作。 ABS06W / ABS07W系列保證工作在1.1μA/ V以上的gm_critical。鑒于許多常見(jiàn)的MCU，例如ST Micro系列STM32M4F / STM32F3 / STM32F4 / STM32L4，其在32.768kHz操作下在1μA/ V附近顯示gm_critical，使用非常低的鍍層晶體的關(guān)鍵性是巨大的。 Abracon的新型IoT優(yōu)化晶體系列目前在世界上提供了最低的負(fù)載電容選項(xiàng)。

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

Abracon晶振,貼片晶振,ABM11-140晶振,石英諧振器,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無(wú)線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小：位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過(guò)圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過(guò)彈簧即可引出電信號(hào)。超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題，為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。

Abracon晶振	單位	ABM11-140晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	26MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70 °C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10~100μW Max.	推薦:10~100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±10× 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

ABM11-140-26.000MHz 2016

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法：調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然。可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶振試用。試用石英貼片晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?；虿皇褂檬静ㄆ鳎_的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征：Abracon晶振,貼片晶振,ABM11-140晶振,石英諧振器

20180607084508

晶振具有多種振動(dòng)模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí)，金屬面晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí)，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3?；l模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下：

20180607084523

一。的基頻模式B應(yīng)用。三次泛音模式的應(yīng)用程序下表顯示升的匹配值，C由各種頻率三次泛音模式進(jìn)口石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。5-2。此外，放大電路，第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。6-1。請(qǐng)參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致2016貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。Abracon晶振,貼片晶振,ABM11-140晶振,石英諧振器

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測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)2016石英晶體振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

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2016陶瓷面晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類(lèi)型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)耐高溫晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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