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Abracon晶振,石英晶體,AB26TRJ晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：8.3*2.7mm

32.768K時(shí)鐘晶體彎角插件型晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

Abracon-1

Abracon公司的產(chǎn)品是COTS - 商業(yè)現(xiàn)貨產(chǎn)品;適用于商業(yè),工業(yè)和指定的自動(dòng)化應(yīng)用. Abracon的產(chǎn)品不是專(zhuān)為軍事,航空,航空航天,生命依賴醫(yī)療應(yīng)用或任何需要高可靠性的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的.電子行業(yè)有一個(gè)非常一致的趨勢(shì),直接取決于時(shí)間 - 隨著技術(shù)越來(lái)越小,功耗降低的需求越來(lái)越高.解決石英晶體設(shè)計(jì)要求,取決于行業(yè)需求,已經(jīng)成為至關(guān)重要的.
Abracon提供了廣泛的石英定時(shí)晶體和振蕩器,MEMS振蕩器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC),藍(lán)牙模塊,陶瓷諧振器,鋸濾器和諧振器,功率和射頻電感,變壓器,電路保護(hù)元件和射頻天線和無(wú)線充電線圈.我們廣泛的產(chǎn)品線服務(wù)于商業(yè),工業(yè),消費(fèi)者和選擇的軍事應(yīng)用,并通過(guò)Abracon的全球分銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)提供.低頻無(wú)源晶體,32.768K彎角插件晶振,AB26TRJ晶振

JLX-1

Abracon晶振,石英晶體,AB26TRJ晶振,是一款極其耐高溫的8.3*2.7mm彎角插件型32.768K晶振,振蕩時(shí)可承受的溫度范圍是-40℃~+85℃,保存溫度在-55℃~125℃之間,達(dá)到SMD型石英晶振的普通型標(biāo)準(zhǔn),在插件晶振里非常少,AB26TRJ晶振也因此受到廣大客戶群體的支持,被廣泛應(yīng)用在消費(fèi)級(jí)電子數(shù)碼產(chǎn)品身上.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

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RB-2

Abracon晶振	單位	AB15T晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

AB26TRJ 8.3-2.7

JLX-4

抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。低頻無(wú)源晶體,32.768K彎角插件晶振,AB26TRJ晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體諧振器性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用進(jìn)口晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。Abracon晶振,石英晶體,AB26TRJ晶振
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞無(wú)源晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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RB-5

1、振蕩電路
音叉水晶振動(dòng)子是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。Abracon晶振,石英晶體,AB26TRJ晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則32.768K系列晶體振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。

cptj11

限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于進(jìn)口彎腳晶振的類(lèi)型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。低頻無(wú)源晶體,32.768K彎角插件晶振,AB26TRJ晶振
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。