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PETERMANN晶振,M2012晶振,M2012-32.768kHz-±20ppm-12.5pF晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2mm

貼片表晶32.768K晶振系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

PETERMANN晶振,M2012晶振,M2012-32.768kHz-±20ppm-12.5pF晶振，PETERMANN-TECHNIK服務(wù)于包括汽車在內(nèi)的所有應(yīng)用領(lǐng)域，在這些領(lǐng)域需要具有卓越性能和卓越品質(zhì)且成本低廉的創(chuàng)新頻率控制組件。我們提供頻率范圍為1.8432MHz– 200MHz的頻率控制產(chǎn)品，例如SMD和THT石英晶體。我們的“石英晶體”產(chǎn)品系列由各種外殼中的32.768kHz解決方案補(bǔ)充，頻率容差從±10ppm開始。當(dāng)然，4pF或低電阻32.768kHz石英晶體也可以很快上市。

PETERMANN晶振,M2012晶振,M2012-32.768kHz-±20ppm-12.5pF晶振，我們極具創(chuàng)新性的“硅振蕩器”產(chǎn)品系列包括非常實(shí)惠的組件，通?？梢杂眠@些組件替代石英或MEMS振蕩器。根據(jù)AECQ100 ，低功耗時(shí)鐘振蕩器可用于所有應(yīng)用，直至LPO-AUT或WTLPO-AUT系列的汽車版本。當(dāng)然，PETERMANN晶振還提供典型值為0.25ps的差分振蕩器。UPO系列的相位抖動(dòng)或低抖動(dòng)時(shí)鐘振蕩器。

PETERMANN晶振,M2012晶振,M2012-32.768kHz-±20ppm-12.5pF晶振，我們的產(chǎn)品系列中找到這些產(chǎn)品，這些晶振產(chǎn)品具有各種外殼和精度。我們還提供TCXO和VC-TCXO。對(duì)于新的開發(fā)，請(qǐng)使用 2.5x2.0mm陶瓷外殼中的相應(yīng)版本，以及電壓控制的 VCXO石英振蕩器。我們的產(chǎn)品系列包括高精度OCXO以及超低功耗MHz 和 kHz 振蕩器，可讓您節(jié)省高達(dá) 50% 的系統(tǒng)能量。我們還可以提供陶瓷諧振器等等。

PARAMETERS	PRODUCT FEATURES AND CONDITIONS
SMD-CRYSTAL SERIES	M2012
NUMBER OF SOLDER PADS	2
FREQUENCY RANGE	32.768 kHz
FREQUENCY TOLERANCES AT 25°C	±20 ppm (standard) / ±10 ppm ~ ±100 ppm (option)
LOAD CAPACITANCE (C L )	12.5 pF (standard) 4, 6, 7 or 9 pF available on request
WORKING TEMPERATURE RANGE	-40/+85°C
RESONANCE RESISTANCE	60 kΩ typ. / 80 kΩ max.
SHUNT CAPACITANCE (C o )	1.3 pF typ.
TURNOVER TEMPERATURE	+25°C ±5°C
PARABOLIC COEFFICIENT	-0.04 ppm/°C² max.
DRIVE LEVEL	0.1 µW typical (0.5 μW max.)
AGING	±3 ppm max. per year
INSULATION RESISTANCE	>500 MΩ DC/100V ±10%
STORAGE TEMPERATURE	-40°/+85°C
DELIVERY FORM	Tape and Reel (5.000 pcs per reel)
SELECT YOUR REQUIRED CRYSTAL (PRODUCT CONFIGURATOR)	REQUEST CRYSTAL SAMPLES (SAMPLE CONFIGURATOR)

抗沖擊
  晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致SMD晶振性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。PETERMANN晶振,M2012晶振,M2012-32.768kHz-±20ppm-12.5pF晶振.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD無(wú)源晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源貼片晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。