自從歐盟頒布各項(xiàng)綠色環(huán)保指令（如RoHS）后,世界各國已陸續(xù)制定公布相關(guān)之法令規(guī)章,推動(dòng)「綠色產(chǎn)品」的發(fā)展.泰藝電子為了對(duì)環(huán)境與人類貢獻(xiàn)一己之力,導(dǎo)入綠色設(shè)計(jì)之概念,致力生產(chǎn)符合國際綠色環(huán)保指令與客戶特殊要求有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振.我們知道,人類的永續(xù)發(fā)展需要干凈的環(huán)境,如果我們產(chǎn)品中的物質(zhì)會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染,影響到人類生存的基本條件,不論產(chǎn)品的功能再先進(jìn)再齊全,也無法對(duì)環(huán)境與社會(huì)帶來多大的幫助.
泰藝石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。
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泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
XI晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
4.000MHZ~80.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
800μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
8pF~16PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管無源晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。泰藝晶振,進(jìn)口插件晶體,XI晶振
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí)，機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存插件晶振產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測(cè)量
必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的高精度進(jìn)口DIP晶振的振蕩頻率的真實(shí)值，
使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。泰藝晶振,進(jìn)口插件晶體,XI晶振
有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最
精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。
輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。
然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法進(jìn)口無源晶振輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測(cè)量。
此外，石英晶振49S振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。
1。測(cè)量緩沖輸出
2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量
三.通過電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出
圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的
除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。
石英晶振,DIP插件晶振,49S晶振
NDK晶振,石英晶振,AT-41晶振
希華晶振,石英晶振,LP-2.5晶振,插件晶振
西鐵城晶振,貼片晶振,HC-49_U-S晶振,石英晶振
ECLIPTEK晶振,石英晶振,EUEA18-1.8432M晶振,歐美插件晶振
ECLIPTEK晶振,E1UAA晶振,E1UAA12-24.000M晶振
Abracon晶振,石英晶振,ABL6M晶振,無源石英晶振
ILSI晶振,石英晶振,HC49US晶振,插件進(jìn)口晶振
QANTEK晶振,石英晶振,QCL晶振,無源諧振器
Crystek晶振,石英晶振,CYSxx晶振,石英無源晶振