Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振,Renesas晶振,XL進口有源晶振,XLL53V52.000000I晶振,5032mm晶振,VCXO振蕩器,LVDS輸出差分晶振,頻率52MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低相噪晶振,低抖動晶振,6G通信晶振,網(wǎng)絡(luò)終端晶振,數(shù)據(jù)中心晶振,高速轉(zhuǎn)換器晶振.
Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振特點：
•輸出類型:LVDS, LVPECL, LVCMOS
•相位抖動(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型
•供電電壓:2.5V或3.3V
•包裝選項:
•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)
•5.0 × 3.2 × 1.2毫米
•7.0 × 5.0 × 1.3 mm
•工作溫度:-20℃~ +70℃
•頻率穩(wěn)定性選項:±20，±25，±50，或±100 ppm(僅XO)
•±50ppm APR(僅限VCXO)
•工作溫度:-40°C至+85°C
•頻率穩(wěn)定性選項:±25，±50，或±100 ppm(僅XO)
•±50ppm APR(僅限VCXO)
•工作溫度:-40°C至+105°C(僅XO)
•頻率穩(wěn)定性選項:±50或±100ppm
•kV 85ppm/伏，典型范圍從0.5VDC到VDD(僅限VCXO)
•Vc范圍線性度優(yōu)于±10%
Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振參數(shù)表
3ps Typ
項目
符號
規(guī)格說明
條件
額定頻率
f_nom
52MHz
請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓
Vcc
3.3V±0.3V
儲存溫度
T_stg
-55℃~+125℃
裸存
工作溫度
T_use
-40℃~ +85℃
頻率公差（標準）
f_tol
±100 ppm
+25℃,超出標準的規(guī)格說明請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息
供電電流
IDD
47mA Max
LVDS 40+MHz to 220MHz
差分輸出電壓
VOD
0.6V Max
VDD = 3.3V ±5%.
對稱性
SYM
47%~53%
Atoutputscrossing point
輸出負載
L_LVDS
100Ω
LVDSDifferential.
輸入電壓
VIH
70%VDD Min
LVDS
VIL
30%VDD Max
上升下降時間
tr/tf
400ps Max
LVDS 20% to 80% Vpp
起始時間
t str
10ms Max
VDD達到最小指定水平后輸出有效時間
周期抖動
JPER
LVDS
相位抖動
tpj
890 fs Typ
12KHZ~20MHz
老化
f_aging
±3ppm/year
+25℃,第一年
Renesas晶振,XLL53V52.000000I,VCXO振蕩器,6G通信晶振尺寸圖
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