RENESAS晶振,XLL338190.000000K,LVDS有源差分晶振,6G應(yīng)用晶振,RENESAS晶振,XL有源差分晶振,XLL338190.000000K晶振,3225mm晶振,石英晶體振蕩器,LVDS輸出差分晶振,頻率190MHz,工作溫度-40~105°C,電壓3.3V,耐高溫晶振,高可靠性晶振,6G應(yīng)用晶振,工業(yè)應(yīng)用晶振,監(jiān)控?cái)z像機(jī)晶振,車載CCD相機(jī)晶振.
RENESAS晶振,XLL338190.000000K,LVDS有源差分晶振,6G應(yīng)用晶振特點(diǎn)：
•輸出類型:LVDS, LVPECL, LVCMOS
•相位抖動(dòng)(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型
•供電電壓:2.5V或3.3V
•包裝選項(xiàng):
•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)
•5.0 × 3.2 × 1.2毫米
•7.0 × 5.0 × 1.3 mm
•工作溫度:-20℃~ +70℃
•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±20，±25，±50，或±100 ppm(僅XO)
•±50ppm APR(僅限VCXO)
•工作溫度:-40°C至+85°C
•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±25，±50，或±100 ppm(僅XO)
•±50ppm APR(僅限VCXO)
•工作溫度:-40°C至+105°C(僅XO)
•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±50或±100ppm
•kV 85ppm/伏，典型范圍從0.5VDC到VDD(僅限VCXO)
•Vc范圍線性度優(yōu)于±10%
RENESAS晶振,XLL338190.000000K,LVDS有源差分晶振,6G應(yīng)用晶振參數(shù)表
4ps Typ
項(xiàng)目
符號(hào)
規(guī)格說明
條件
額定頻率
f_nom
190MHz
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電源電壓
Vcc
3.3V±0.3V
儲(chǔ)存溫度
T_stg
-55℃~+125℃
裸存
工作溫度
T_use
-40℃~ +105℃
頻率公差（標(biāo)準(zhǔn)）
f_tol
±20 ppm
+25℃,超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息
供電電流
IDD
47mA Max
LVDS 40+MHz to 220MHz
差分輸出電壓
VOD
0.6V Max
VDD = 3.3V ±5%.
對(duì)稱性
SYM
47%~53%
Atoutputscrossing point
輸出負(fù)載
L_LVDS
100Ω
LVDSDifferential.
輸入電壓
VIH
70%VDD Min
LVDS
VIL
30%VDD Max
上升下降時(shí)間
tr/tf
400ps Max
LVDS 20% to 80% Vpp
起始時(shí)間
t str
10ms Max
VDD達(dá)到最小指定水平后輸出有效時(shí)間
周期抖動(dòng)
JPER
LVDS
相位抖動(dòng)
tpj
890 fs Typ
12KHZ~20MHz
老化
f_aging
±3ppm/year
+25℃,第一年
RENESAS晶振,XLL338190.000000K,LVDS有源差分晶振,6G應(yīng)用晶振尺寸圖
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DS1008JN有源晶振,KDS大真空晶振,車規(guī)晶振
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NX3225GD-8MHZ-STD-CRA-3,日產(chǎn)NDK陶瓷晶振,車載設(shè)備應(yīng)用晶振
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FA-238V12.0000MB-W3,3225石英貼片晶振,智能手環(huán)晶振
ECS-160-12-33B2Q-JES-TR3,ECS車規(guī)晶振,傳感器應(yīng)用晶振
SG-8003CE-108.0000MHZ-PEB,筆記本電腦晶振,EPSON移動(dòng)設(shè)備晶振
ECS-196.6-12-33Q-JEN-TR,ECX-33Q貼片晶振,ECS伊西斯晶振