CITIZEN西鐵城公司的前身為日本尚工舍時計研究所，創(chuàng)立于1918年，主要從事鐘表的開發(fā)和制造，在1924年制造出第一只懷表。西鐵城表晶株式會社成立于1930年，在第二年（1931年）生產(chǎn)出第一只西鐵城牌手表。截止2010年底，已發(fā)展為以鐘表為主業(yè)，多種經(jīng)營的集團性跨國大公司，年銷售額約三十八億美元。西鐵城自成立以來，一直在鐘表行業(yè)處于領(lǐng)先地位，創(chuàng)造了諸多世界第一。
西鐵城在音叉晶體表晶振動子（石英晶振）這一領(lǐng)域也是遙遙領(lǐng)先的，與日本元器件品牌愛普生晶振，日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本西鐵城石英晶振murata,并稱世界日產(chǎn)五大品牌。對于西鐵城晶振動子,其要求相比其他各大品牌，工藝也是非常之嚴格，工藝上除清洗、被銀、點膠、微調(diào)、中測、封焊、檢漏、老化、測試、打標、編帶、包裝等步驟外,選用的設(shè)備儀器其優(yōu)點有先進性、功能性、適應(yīng)性和經(jīng)濟性,西鐵城推出3款適合時鐘上用的音叉表晶,CFS-308晶振,CFS-206晶振,CFS-145晶振。日本株式會社西鐵城晶振品牌【CITIZEN】，該品牌創(chuàng)立時間在1918年，早期主要研發(fā)與生產(chǎn)時計產(chǎn)品，在1959年西鐵城成功研發(fā)出防水，防振的手表，從此轟動世界成為了個性時尚品牌.在1975年西鐵城會社成立了西鐵城株式會社水晶事業(yè)部，從此研發(fā)音叉型壓電石英水晶振動子.
西鐵城晶振,石英晶振,CMR250T晶振,圓柱音叉表晶,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設(shè)計：用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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西鐵城晶振 |
單位 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
30~100KHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推薦:1.0μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20× 10-6/-40°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
12.5pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C,DL =1.0μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
4：粘合劑:請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個時鐘晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接音叉石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
驅(qū)動能力:2.*6彎腳插件晶振驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。西鐵城晶振,石英晶振,CMR250T晶振,圓柱音叉表晶
測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω(2) 其他:? 輸入插件型石英晶體電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝進口彎腳晶振在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過彎腳音叉晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
Abracon晶振,彎角插件晶振,AB26TRB晶振
西鐵城晶振,石英晶振,CMR200T晶振
西鐵城晶振,石英晶振,CMR310T晶振,音叉石英晶體
西鐵城晶振,石英晶振,CMR309T-48.000MABJ-UT晶振
Golledge晶振,石英晶振,GSWX-26晶振,圓柱音叉晶振