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ILSI晶振,貼片晶振,ILCX04晶振,無源貼片晶振

頻率：6~150MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

ILSI America成立于1987年，總部位于加州科斯塔梅薩。當時的商業(yè)模式很簡單，成為石英晶體諧振器和時鐘振蕩器的供應(yīng)商，以支持北美頻率控制市場,在隨后的29年中，隨著全球頻率控制產(chǎn)品市場需求呈指數(shù)級增長和全球化，ILSI通過有機增長和收購應(yīng)對不斷變化的市場和客戶群。
1995年，ILSI北京中國辦事處開業(yè)。1998年，ILSI晶振美國公司搬遷到它現(xiàn)在的位置，這是一個位于內(nèi)華達州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年，ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國辦事處的開業(yè)完成了我們在美國和亞洲提供真正實體店的目標，這些實體由直接員工提供，以支持我們在北美，墨西哥，亞洲和歐洲快速增長的客戶群。大面積貼片諧振器,進口7050石英晶體,ILCX04晶振

ILSI晶振,貼片晶振,ILCX04晶振,無源貼片晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。大面積貼片諧振器,進口7050石英晶體,ILCX04晶振

ILSI晶振	單位	ILCX04晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	6~150MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-0°C~+70°C	標準溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:100μW
頻率公差	f_— l	±30× 10-6	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±50× 10-6/-30°C~+85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	18PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個方法：調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。如果由頻率計數(shù)器測量頻率比目標頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標頻率，反之亦然?？梢圆捎貌煌撦d電容（CL）的晶振試用。試用石英貼片晶振具有較低電容若頻率比目標頻率超高很多的話。請檢查波形幅度是否是正?；虿皇褂檬静ㄆ?，正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。頻率輸出頻率的目標只有三分之一。下面的曲線表示晶體的電阻的特征：ILSI晶振,貼片晶振,ILCX04晶振,無源貼片晶振

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晶振具有多種振動模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當基頻模式應(yīng)用時，金屬面晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡單的石英晶體振蕩器。當?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標頻率時，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因為電路的環(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3?；l模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下：

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一。的基頻模式B應(yīng)用。三次泛音模式的應(yīng)用程序下表顯示升的匹配值，C由各種頻率三次泛音模式進口石英晶振頻率輸出是目標頻率的三倍這個問題的可能性相對較小。請確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大當放大電路內(nèi)置于芯片組此問題可能會發(fā)生。為了解決這個問題，請采用三次泛音模式晶振。5-2。此外，放大電路，第三色調(diào)模式設(shè)計不當也可能導致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。6-1。請參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。大面積貼片諧振器,進口7050石英晶體,ILCX04晶振

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負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致普通款石英7050晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。ILSI晶振,貼片晶振,ILCX04晶振,無源貼片晶振

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量進口7050mm晶振頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在進口無源SMD晶體基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負載能力。
適當?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過7050體積SMD諧振器測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。大面積貼片諧振器,進口7050石英晶體,ILCX04晶振

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