2013年，ILSI收購了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購使我們現(xiàn)有的全球進(jìn)口晶振頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購MMD的行為不會中斷我們的客戶供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高，因此2013年需要開設(shè)兩個新的區(qū)域銷售辦事處，負(fù)責(zé)處理洛杉磯，加利福尼亞州，加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
    ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作為ILSI-MMD Inc.基礎(chǔ)設(shè)施下的品牌實體進(jìn)行了積極的營銷和銷售。通過增長和收購帶來的銷量增加需要重新調(diào)整我們的石英晶振銷售渠道，以更好地管理我們的全球客戶群。ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個地區(qū)代表組成，覆蓋50個美國，加拿大西部和東部，墨西哥，亞洲，英國，波蘭，德國，法國，意大利，奧地利和南美洲中的45個。銷售渠道還受到由多國一級分銷商，地區(qū)分銷，美國分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎(chǔ)設(shè)施的支持; 共有8家專營分銷渠道合作伙伴。兆赫茲DIP晶振,圓柱大型諧振器,39晶振

    ILSI晶振,石英晶振,39晶振,圓柱晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/U石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
    具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除無源晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機(jī)器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定。兆赫茲DIP晶振,圓柱大型諧振器,39晶振

    石英插件晶振產(chǎn)品的設(shè)計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴(yán)格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。ILSI晶振,石英晶振,39晶振,圓柱晶振

    機(jī)械振動的影響:當(dāng)進(jìn)口無源晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 

    PCB設(shè)計指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨立于無源石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。 兆赫茲DIP晶振,圓柱大型諧振器,39晶振

    晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在MHZ系列圓柱晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。ILSI晶振,石英晶振,39晶振,圓柱晶振

    適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過插件圓柱晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

    此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量時鐘電子產(chǎn)品晶振緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

    負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致高頻圓柱晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。兆赫茲DIP晶振,圓柱大型諧振器,39晶振

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