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BomarCrystal專注于表面貼裝(SMD)晶體和振蕩器產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)
BomarCrystal專注于表面貼裝(SMD)晶體和振蕩器產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)
什么是SMD晶體和振蕩器SMD晶體,即表面貼裝晶體,是一種基于石英晶體壓電效應(yīng)工作的電子元件.當(dāng)在進口石英晶體的兩個電極上施加電場時,晶體會產(chǎn)生機械振動,反之,當(dāng)晶體受到機械應(yīng)力作用時,電極兩端又會產(chǎn)生電場,這種可逆的物理現(xiàn)象使得石英晶體能夠產(chǎn)生穩(wěn)定的振蕩頻率.將這種振蕩頻率信號作為基準時鐘,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中,為設(shè)備內(nèi)的數(shù)字電路,微處理器等提供精準的時間參考,確保各個部件按照既定的節(jié)奏協(xié)同工作.振蕩器則是一種能夠?qū)⒅绷麟娔苻D(zhuǎn)換為具有特定頻率交流電能的電子裝置.在電子系統(tǒng)里,它的主要職責(zé)是產(chǎn)生周期性的電信號,這些信號如同指揮家手中的指揮棒,為整個電子設(shè)備的運行提供穩(wěn)定的時鐘信號,讓設(shè)備各部分有條不紊地執(zhí)行任務(wù).而SMD振蕩器,正是采用了表面貼裝技術(shù)的振蕩器,其具備體積小巧,易于安裝等特性,能夠很好地滿足現(xiàn)代電子設(shè)備小型化,輕薄化的設(shè)計需求.
SMD技術(shù)的優(yōu)勢,在當(dāng)今電子設(shè)備追求輕薄便攜,高性能的趨勢下,SMD技術(shù)憑借眾多顯著優(yōu)勢脫穎而出,成為電子元件制造領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一.小型化與輕量化是SMD技術(shù)最直觀的優(yōu)勢體現(xiàn).傳統(tǒng)的插件式元件通常體積較大,且需要占用較多的電路板空間.而SMD元件通過直接貼裝在印刷電路板(PCB)表面,無需額外的引腳插入孔,極大地減小了元件的體積和重量,使電子設(shè)備在實現(xiàn)相同功能的前提下,體積可以大幅縮小,重量也顯著減輕.以智能手機晶振為例,內(nèi)部眾多采用SMD技術(shù)的芯片,電容,電阻等元件,使得手機能夠在有限的空間內(nèi)集成豐富的功能,同時保持輕薄的外觀,方便用戶攜帶與使用.除了小型化與輕量化,SMD技術(shù)還具備高性能優(yōu)勢.由于SMD元件的引腳較短甚至無引腳,信號傳輸路徑大大縮短,這有效減少了信號傳輸過程中的損耗,干擾和延遲,使得電子設(shè)備在處理高速信號和高頻信號時表現(xiàn)更為出色.在5G通信設(shè)備中,對信號的傳輸速度和穩(wěn)定性要求極高,SMD技術(shù)能夠確保信號在電路板上快速,準確地傳輸,滿足5G網(wǎng)絡(luò)對高速數(shù)據(jù)處理的需求.SMD技術(shù)還具有易于自動化生產(chǎn)的特點.在大規(guī)模生產(chǎn)過程中,貼片機等自動化設(shè)備能夠快速,精準地將SMD元件貼裝到PCB板上,極大地提高了生產(chǎn)效率,降低了人工成本,同時也減少了因人工操作而產(chǎn)生的誤差,提高了產(chǎn)品的一致性和質(zhì)量可靠性.在汽車電子領(lǐng)域,大量使用SMD元件的電子控制單元(ECU),通過自動化生產(chǎn)工藝,能夠保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性,滿足汽車行業(yè)對零部件高可靠性的嚴格要求.
豐富的產(chǎn)品線:BomarCrystal憑借在電子元件領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累和對市場需求的敏銳洞察,構(gòu)建了豐富且多元化的SMD晶體和振蕩器產(chǎn)品線.其產(chǎn)品涵蓋了多種不同尺寸和頻率范圍,以滿足各類電子設(shè)備在設(shè)計和性能上的多樣化需求.在SMD晶體方面,從較大尺寸的如7.0mm×5.0mm,到超微型的1.6mm×1.2mm甚至更小尺寸,BomarCrystal都有對應(yīng)的產(chǎn)品系列.不同尺寸的晶體適用于不同空間布局和性能要求的電子設(shè)備.較大尺寸的晶體可能在穩(wěn)定性和功率承載方面表現(xiàn)出色,適合應(yīng)用于對頻率穩(wěn)定性要求極高且空間相對充裕的工業(yè)設(shè)備和通信基站等,而超微型晶體則憑借其小巧的體積,能夠滿足可穿戴設(shè)備,小型傳感器等對空間要求極為苛刻的產(chǎn)品需求,使這些設(shè)備在實現(xiàn)高性能的同時,保持小巧便攜的外觀設(shè)計.BomarCrystal的SMD晶體頻率范圍也十分廣泛,覆蓋了從低頻的32.768KHz晶振到高頻的60MHz甚至更高頻率.32.768KHz的晶體常被用于實時時鐘電路,為電子設(shè)備提供精準的時間基準,確保設(shè)備的時鐘功能穩(wěn)定運行,如在智能手表,手機等設(shè)備中,準確的時間顯示離不開這一頻率的晶體支持,而高頻晶體則在高速數(shù)據(jù)傳輸和處理的設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用,像5G通信模塊,高速處理器等,高頻晶體能夠提供更高的時鐘頻率,滿足設(shè)備對快速數(shù)據(jù)處理和高速信號傳輸?shù)男枨?對于振蕩器產(chǎn)品,BomarCrystal同樣提供了全面的選擇.包括普通振蕩器(XO),溫度補償振蕩器(TCXO),壓控振蕩器(VCXO)和恒溫振蕩器(OCXO)等不同類型.普通振蕩器適用于對成本較為敏感且對頻率穩(wěn)定性要求不是特別苛刻的一般性電子設(shè)備,如一些簡單的消費電子產(chǎn)品,溫度補償振蕩器則通過內(nèi)置的溫度補償電路,能夠有效減小溫度變化對頻率的影響,在環(huán)境溫度變化較大的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色,如戶外通信設(shè)備,汽車電子等,壓控振蕩器的輸出頻率可以通過外部電壓進行調(diào)節(jié),常用于需要靈活調(diào)整頻率的通信和測試設(shè)備中,恒溫振蕩器則采用恒溫控制技術(shù),將晶體置于恒溫環(huán)境中,以獲得極高的頻率穩(wěn)定性,主要應(yīng)用于對頻率精度要求極高的高端通信,航空航天和精密測量等領(lǐng)域.
滿足多元需求
BomarCrystal的SMD晶體和振蕩器產(chǎn)品憑借其卓越的性能和豐富的規(guī)格,廣泛應(yīng)用于通信,消費電子,汽車電子,工業(yè)控制,醫(yī)療設(shè)備等眾多領(lǐng)域,滿足了不同行業(yè)對電子元件的多元化需求.在通信領(lǐng)域,無論是5G基站,智能手機,平板電腦,還是衛(wèi)星通信設(shè)備,都對信號的穩(wěn)定性,傳輸速度和頻率精度有著極高的要求.BomarCrystal的高頻SMD晶體和高精度振蕩器,能夠為通信設(shè)備晶振提供穩(wěn)定且精準的時鐘信號,確保數(shù)據(jù)的快速,準確傳輸.在5G基站中,需要高精度的振蕩器來保證信號的同步和穩(wěn)定性,BomarCrystal的產(chǎn)品能夠滿足這一嚴格要求,助力5G網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)低延遲,高帶寬的通信服務(wù),在智能手機中,SMD晶體和振蕩器為手機的射頻電路,處理器等提供時鐘信號,保障手機在通話,上網(wǎng),數(shù)據(jù)處理等各種功能下的穩(wěn)定運行.消費電子市場是SMD晶體和振蕩器的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一.隨著消費者對電子產(chǎn)品功能多樣化和小型化的追求,消費電子產(chǎn)品內(nèi)部需要集成更多高性能的電子元件.BomarCrystal的超微型SMD晶體和低功耗振蕩器,完美契合了消費電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢.在智能手表中,小巧的SMD晶體和低功耗振蕩器不僅為手表的各種功能提供了穩(wěn)定的時鐘信號,還能夠有效降低功耗,延長電池續(xù)航時間,在無線耳機中,BomarCrystal的產(chǎn)品確保了音頻信號的穩(wěn)定傳輸和處理,為用戶帶來高品質(zhì)的音樂體驗.
汽車電子領(lǐng)域?qū)﹄娮釉目煽啃院头€(wěn)定性要求極為嚴苛,因為汽車在行駛過程中會面臨各種復(fù)雜的環(huán)境條件,如高溫,低溫,震動,電磁干擾等.BomarCrystal的SMD晶體和振蕩器經(jīng)過嚴格的質(zhì)量檢測和可靠性測試,能夠在惡劣的汽車環(huán)境中穩(wěn)定工作.它們被廣泛應(yīng)用于汽車的發(fā)動機控制系統(tǒng),車載娛樂系統(tǒng),自動駕駛輔助系統(tǒng)等.在發(fā)動機控制系統(tǒng)中,精準的時鐘信號能夠確保噴油,點火等關(guān)鍵操作的精確控制,提高發(fā)動機的性能和燃油經(jīng)濟性,在自動駕駛輔助系統(tǒng)中,穩(wěn)定的時鐘信號對于傳感器數(shù)據(jù)的采集和處理至關(guān)重要,直接關(guān)系到駕駛的安全性.
在工業(yè)控制領(lǐng)域,BomarCrystal的產(chǎn)品為各類工業(yè)設(shè)備提供了穩(wěn)定的時鐘基準,確保設(shè)備的自動化生產(chǎn)和精準控制.無論是自動化生產(chǎn)線,機器人控制系統(tǒng),還是工業(yè)儀表,都離不開SMD晶體和振蕩器的支持.在自動化生產(chǎn)線中,設(shè)備需要按照精確的時間節(jié)奏協(xié)同工作,BomarCrystal的產(chǎn)品能夠保證各設(shè)備之間的同步運行,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量,在工業(yè)儀表中,高精度的時鐘信號能夠確保測量數(shù)據(jù)的準確性和可靠性,為工業(yè)生產(chǎn)提供可靠的數(shù)據(jù)支持.醫(yī)療設(shè)備關(guān)乎人們的生命健康和安全,對電子元件的性能和可靠性要求極高.BomarCrystal的SMD晶體和振蕩器以其高穩(wěn)定性和高精度,在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用.在醫(yī)療監(jiān)護設(shè)備中,如心電圖機,血壓監(jiān)測儀等,穩(wěn)定的時鐘信號能夠確保數(shù)據(jù)的準確采集和實時傳輸,為醫(yī)生的診斷提供可靠依據(jù),在醫(yī)療成像設(shè)備中,如核磁共振成像(MRI),計算機斷層掃描(CT)等,高精度的振蕩器對于圖像的清晰成像至關(guān)重要.
技術(shù)創(chuàng)新BomarCrystal始終將技術(shù)創(chuàng)新視為企業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動力,在研發(fā)領(lǐng)域持續(xù)投入大量的人力,物力和財力.公司匯聚了一批來自電子工程,材料科學(xué)等多領(lǐng)域的頂尖專業(yè)人才,他們憑借深厚的專業(yè)知識和豐富的行業(yè)經(jīng)驗,組成了一支極具創(chuàng)新活力的研發(fā)團隊.在材料創(chuàng)新方面,研發(fā)團隊不斷探索新型材料在SMD晶體和振蕩器中的應(yīng)用.他們深入研究各種石英晶體材料的特性,通過對材料的物理和化學(xué)性質(zhì)進行精確調(diào)控,開發(fā)出具有更高品質(zhì)因數(shù)(Q值)和更低溫度系數(shù)的新型石英材料.這種新型材料的應(yīng)用,顯著提高了SMD晶體的頻率穩(wěn)定性和抗干擾能力,使其在復(fù)雜的電磁環(huán)境和溫度變化條件下,依然能夠保持穩(wěn)定的性能.在5G基站的高頻通信環(huán)境中,BomarCrystal采用新型材料的SMD晶體,能夠有效減少信號干擾和頻率漂移,確保通信信號的穩(wěn)定傳輸.制造工藝的改進也是BomarCrystal技術(shù)創(chuàng)新的重要方向.研發(fā)團隊引入先進的光刻技術(shù),微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)和納米制造技術(shù),對生產(chǎn)工藝進行全面升級.在SMD晶體的制造過程中,通過光刻技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更高精度的電極圖案制作,減少電極間的寄生電容和電阻,提高晶體的電氣性能,MEMS技術(shù)則用于制造高精度的微型諧振器,使SMD晶體的體積進一步縮小,同時提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品一致性,納米制造技術(shù)的應(yīng)用,能夠在晶體表面形成納米級的薄膜涂層,改善晶體的表面質(zhì)量和化學(xué)穩(wěn)定性,增強其抗腐蝕和抗老化能力.
BomarCrystal還積極與國內(nèi)外知名科研機構(gòu)和高校建立長期合作關(guān)系,共同開展前沿技術(shù)研究和產(chǎn)學(xué)研合作項目.通過與這些科研力量的緊密合作,BomarCrystal能夠及時了解行業(yè)的最新技術(shù)動態(tài)和研究成果,將高校和科研機構(gòu)的理論研究成果快速轉(zhuǎn)化為實際生產(chǎn)力,推動公司技術(shù)創(chuàng)新的不斷發(fā)展.與某高校合作開展的關(guān)于新型壓電材料在SMD晶體中應(yīng)用的研究項目,成功開發(fā)出一種具有更高壓電常數(shù)的材料,應(yīng)用于BomarCrystal的產(chǎn)品中,有效提高了產(chǎn)品的性能和競爭力.生產(chǎn)工藝與質(zhì)量控制BomarCrystal擁有一套先進且完善的生產(chǎn)工藝流程,從原材料采購到最終產(chǎn)品出廠,每一個環(huán)節(jié)都嚴格遵循國際標準和行業(yè)規(guī)范,確保產(chǎn)品的質(zhì)量和性能達到最優(yōu).在原材料采購環(huán)節(jié),BomarCrystal建立了嚴格的供應(yīng)商篩選和評估體系,只選擇符合高質(zhì)量標準的原材料供應(yīng)商.對于石英晶體等關(guān)鍵原材料,會進行嚴格的質(zhì)量檢測,包括材料的純度,晶體結(jié)構(gòu)完整性,壓電性能等指標的檢測,確保原材料的質(zhì)量穩(wěn)定性和一致性,為后續(xù)的生產(chǎn)加工奠定堅實的基礎(chǔ).
生產(chǎn)過程中,BomarCrystal采用全自動化的生產(chǎn)設(shè)備和先進的制造工藝,以提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品精度.在SMD晶體的切割,研磨,鍍膜等工序中,自動化設(shè)備能夠精確控制加工參數(shù),保證產(chǎn)品尺寸的高精度和一致性.在晶體切割工序中,采用高精度的數(shù)控切割機,能夠?qū)⒕w切割誤差控制在微米級,確保晶體的諧振頻率精度,在鍍膜工序中,利用先進的物理氣相沉積(PVD)技術(shù),能夠在晶體表面均勻地鍍上一層厚度精確控制的金屬薄膜,提高晶體的電氣性能.質(zhì)量控制是BomarCrystal生產(chǎn)管理的重中之重.公司建立了全面的質(zhì)量管理體系,從生產(chǎn)過程中的在線檢測到成品的最終檢驗,每一個階段都進行嚴格的質(zhì)量把關(guān).在生產(chǎn)線上,配備了先進的自動化檢測設(shè)備,對每一個生產(chǎn)環(huán)節(jié)的產(chǎn)品進行實時監(jiān)測,如晶體的頻率穩(wěn)定性,諧振電阻,負載電容等關(guān)鍵參數(shù)的檢測.一旦發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品參數(shù)超出預(yù)設(shè)的公差范圍,設(shè)備會立即發(fā)出警報,并自動將不合格產(chǎn)品剔除,確保只有合格的半成品進入下一道工序.
在成品檢驗階段,BomarCrystal采用多種先進的檢測技術(shù)和設(shè)備,對產(chǎn)品進行全面的性能測試和可靠性驗證.通過高精度的頻率測試儀器,對SMD晶體和振蕩器的輸出頻率進行精確測量,確保頻率精度符合產(chǎn)品規(guī)格要求,利用環(huán)境模擬試驗設(shè)備,對產(chǎn)品進行高溫,低溫,濕度,振動等多種環(huán)境應(yīng)力測試,驗證產(chǎn)品在不同環(huán)境條件下的可靠性和穩(wěn)定性.在高溫試驗中,將產(chǎn)品置于高溫環(huán)境下長時間運行,檢測其頻率漂移和性能變化情況,在振動試驗中,模擬產(chǎn)品在運輸和使用過程中可能受到的振動沖擊,檢測產(chǎn)品的機械結(jié)構(gòu)完整性和電氣性能穩(wěn)定性.BomarCrystal還注重質(zhì)量數(shù)據(jù)的收集和分析,通過對生產(chǎn)過程和產(chǎn)品質(zhì)量數(shù)據(jù)的深入分析,及時發(fā)現(xiàn)潛在的質(zhì)量問題和生產(chǎn)工藝中的薄弱環(huán)節(jié),采取針對性的改進措施,不斷優(yōu)化生產(chǎn)工藝和提高產(chǎn)品質(zhì)量.建立了質(zhì)量追溯系統(tǒng),對每一個產(chǎn)品的原材料批次,生產(chǎn)工序,生產(chǎn)設(shè)備,檢測數(shù)據(jù)等信息進行詳細記錄,一旦出現(xiàn)質(zhì)量問題,能夠快速準確地追溯到問題的根源,及時采取召回和改進措施,保障客戶的權(quán)益和公司的聲譽.
BomarCrystal專注于表面貼裝(SMD)晶體和振蕩器產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)
| DSC1123CI2-125.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 125MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123CI2-200.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 200MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123AE2-100.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 100MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1001CI2-027.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 27MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1123CE1-156.2500 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 156.25MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123CI2-150.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 150MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123CI2-100.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 100MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1103DI2-312.5000 | Microchip有源晶振 | DSC1103 | MEMS | 312.5MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123DI2-050.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 50MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123CI2-156.2500 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 156.25MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123BL2-125.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 125MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123CI5-125.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 125MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1103CI5-300.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1103 | MEMS | 300MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123DL5-200.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 200MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123NL5-100.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 100MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| MX574BBD322M265 | Microchip有源晶振 | MX57 | XO (Standard) | 322.265625MHz | HCSL | 2.375 V ~ 3.63 V |
| DSC1001CI2-018.4320 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 18.432MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1123CI1-200.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 200MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123CI1-156.2500 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 156.25MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123AE2-300.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 300MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123AI1-125.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 125MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123AI2-125.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 125MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1122CE1-125.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1122 | MEMS | 125MHz | LVPECL | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123AE2-200.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 200MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1103CI1-075.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1103 | MEMS | 75MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123AI2-150.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 150MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1123AI1-200.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1123 | MEMS | 200MHz | LVDS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC557-0344SI1 | Microchip有源晶振 | DSC557-03 | MEMS | 100MHz | HCSL | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC6003CI1A-033.0000 | Microchip有源晶振 | DSC60XX | MEMS | 33MHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC6111CI1A-008.0000 | Microchip有源晶振 | DSC6100 | MEMS | 8MHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC6011JI1A-024.0000 | Microchip有源晶振 | DSC60XX | MEMS | 24MHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC6083CI2A-032K800 | Microchip有源晶振 | DSC60XX | MEMS | 32.8kHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC6083CI2A-307K000 | Microchip有源晶振 | DSC60XX | MEMS | 307kHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC6001CI2A-004.0000 | Microchip有源晶振 | DSC60XX | MEMS | 4MHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC6001CI2A-032.0000 | Microchip有源晶振 | DSC60XX | MEMS | 32MHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC6083CI2A-250K000 | Microchip有源晶振 | DSC60XX | MEMS | 250kHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC6083CI2A-002K000 | Microchip有源晶振 | DSC60XX | MEMS | 2kHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC6101JI2A-024.0000 | Microchip有源晶振 | DSC6100 | MEMS | 24MHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC1001CC1-047.3333 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 47.3333MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1030BC1-008.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1030 | MEMS | 8MHz | CMOS | 3V |
| DSC1001BC1-024.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 24MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1033BC1-026.6000 | Microchip有源晶振 | DSC1033 | MEMS | 26MHz | CMOS | 3.3V |
| DSC1001DI1-001.8432 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 1.8432MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1033CI1-048.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1033 | MEMS | 48MHz | CMOS | 3.3V |
| DSC1033CI1-024.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1033 | MEMS | 24MHz | CMOS | 3.3V |
| DSC1033DI1-012.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1033 | MEMS | 12MHz | CMOS | 3.3V |
| DSC1033DI1-036.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1033 | MEMS | 36MHz | CMOS | 3.3V |
| DSC1001CI1-027.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 27MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1033CI1-050.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1033 | MEMS | 50MHz | CMOS | 3.3V |
| DSC6001CI1A-011.0592 | Microchip有源晶振 | DSC60XX | MEMS | 11.0592MHz | CMOS | 1.71 V ~ 3.63 V |
| DSC1001CI2-024.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 24MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1033BE2-024.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1033 | MEMS | 24MHz | CMOS | 3.3V |
| DSC1001DI2-038.4000 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 38.4MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1001CI5-033.3333 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 33.3333MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1101DM2-012.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1101 | MEMS | 12MHz | CMOS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1001DE5-018.4320 | Microchip有源晶振 | DSC1001 | MEMS | 18.432MHz | CMOS | 1.8 V ~ 3.3 V |
| DSC1101AI2-040.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1101 | MEMS | 40MHz | CMOS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1101AI2-080.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1101 | MEMS | 80MHz | CMOS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1101AI2-064.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1101 | MEMS | 64MHz | CMOS | 2.25 V ~ 3.6 V |
| DSC1124CI5-100.0000 | Microchip有源晶振 | DSC1124 | MEMS | 100MHz | HCSL | 2.25 V ~ 3.6 V |
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【本文標簽】：BomarCrystal專注于表面貼裝(SMD)晶體和振蕩器產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)
【責(zé)任編輯】：金洛鑫版權(quán)所有：http://www.908tw.com轉(zhuǎn)載請注明出處
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