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TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.2*2.5mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振，自1986年以來(lái)，ACT艾西迪晶振 - 以前的高級(jí)晶體技術(shù) - 已發(fā)展成為高性能頻率控制石英晶體產(chǎn)品的領(lǐng)先設(shè)計(jì)合作伙伴。通過(guò)新的合作伙伴關(guān)系定制頻率解決方案,我們與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振，無(wú)論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型貼片振蕩器，還是簡(jiǎn)單的基本SMD晶振，我們的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過(guò)程中為您提供支持。

ACT艾西迪晶振公司除了石英水晶組件,同時(shí)量產(chǎn)LC濾波器,SAW,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,時(shí)鐘晶振,溫補(bǔ)晶振和天線等產(chǎn)品,但頻率元件一直都是艾西迪晶振公司最重要的模塊,除此之外,陶瓷諧振器,無(wú)源晶振等都深受各大知名企業(yè)的歡迎

TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振，小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

Parameters

Specification

Remarks

Frequency

F_nom

32.768kHz

Supply voltage

Vcc

1.8V, 2.5V, 3.0V, 3.3V, 5.0V

±5% voltage change, ±10% for 5V

Supply voltage variation

0.25V max

?V/?T = 1V/us

Initial frequency tolerance

F_tol

±1.5ppm max

At +25°C±3°C

Frequency stability

vs Temperature

F_stb

±5.0ppm

vs Load change

F_load

±0.2ppm max

±10% load condition change

vs Voltage change

F_Vcc

±0.2ppm max

±5% input voltage change

vs Aging

F_age

±3.0ppm/year max

At +25°C

vs Reflow

±1.0ppm/year max

1 reflow and measured after 24hrs

vs all range Vcc

±1.0ppm/volt max

Vcc = 1.7V to 5.5V

Operating temperature range (°C)

Topr

‐40°C ~ +85°C

Table 1

Storage temperature (°C)

Tstg

‐55°C ~ +85°C

Output waveform

HCMOS

Output load

15pF

Output voltage high

Voh

Vcc ‐ 0.4V min. Ioh = ‐0.1mA

For all Vcc range

Output voltage low

Vol

0.4V max. Iol = 0.1mA

For all Vcc range

Current consumption

Icc

0.79 μA ~ 2.05μA

Table 2

Rise and fall time

Tr, Tf

100ns max

20% to 80% of waveform

Duty cycle

SYM

40%/60% typical

Measured at 50% Vcc

Start‐ up time

T_str

1.0 sec max at 25°C

3.0 sec max at ‐40°C~+85°C

Pad 1 OE thresholds

Vih = 0.8Vcc, Vil = 0.2Vcc

Timing error over time

±0.432sec/day

For ±5ppm over ‐40°C ~ +85°C

Note: The device is ESD sensitive and moisture sensitive level (MSL) ‐ 1

焊接和超聲波清洗
  晶振的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件，但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件?；旧?，超聲波清洗助焊劑允許，但在某些情況下，與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會(huì)導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請(qǐng)檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
  當(dāng)SMD晶振單元接觸鹽或腐蝕性材料或長(zhǎng)期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴(yán)重的缺陷，例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時(shí)要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振.
安裝引線安裝型晶體單元
  （1）在PC板上安裝一個(gè)壓電石英晶體單元，使其高度單位低于其他部分；這樣可以防止
由于沖擊引起的破損引起的支架式玻璃上方。玻璃破碎可能會(huì)影響氣密性密封導(dǎo)致性能下降。
  （2）安裝鉛封式晶體單元時(shí)使用PC板，PC上的孔之間的距離電路板應(yīng)該等于端子之間的距離晶體單元安裝。螺距中最輕微的誤差可能會(huì)導(dǎo)致玻璃裂縫水晶單元支架的一部分。
  （3）安裝引線型晶體單元時(shí)，我們建議設(shè)備應(yīng)與PC聯(lián)系電路板和焊接方式，以防止疲勞和由于機(jī)械共振引起的引線斷裂。
  （4）在PC板上安裝貼片石英晶振后，移動(dòng)單元使支架基底玻璃破裂導(dǎo)致特性惡化。別動(dòng)了這樣的水晶單元。